二次イオン質量分析装置（SIMS）
試料にイオンを照射したときに試料から放出されるイオンの質量を 計測して、元素分布・分子構造が得られる装置です。
四重極型二次イオン質量分析装置（D-SIMS）PHI ADEPT 2
半導体などのドーパント分析や薄膜多層膜の深さ方向分析を行います。 自動分析に対応しており、深さ方向分析を高感度かつ高速で実現します。
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飛行時間型二次イオン質量分析装置（TOF-SIMS） PHI nanoTOF 3+
飛行時間型二次イオン質量分析法（TOF：Time of Fright SIMS）は試料にパルス化したイオンを照射し、試料から放出される二次イオンを質量分析するこ……
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四重極型二次イオン質量分析装置（D-SIMS） PHI ADEPT-1010
二次イオン質量分析法（SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry）は試料にイオンを照射し、試料から放出される二次イオンを質量分析す……
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