四重極型二次イオン質量分析装置
(D-SIMS)
PHI ADEPT 2
半導体などのドーパント分析や薄膜多層膜の深さ方向分析を行います。
自動分析に対応しており、深さ方向分析を高感度かつ高速で実現します。
特長
- 高度化された自動測定
- 高速・高感度な深さ方向分析
- 究極の深さ方向分解能
- 超高真空が実現する究極の検出下限
仕様
| Model | PHI ADEPT 2 |
|---|---|
| ダイナミックレンジ | 5桁以上 |
| 深さ方向分解能 | 1nm以下 |