アークプラズマ蒸着源 
APS-1

異なる「ターゲット」を同時に蒸着。
本蒸着源を既存のアークプラズマ法ナノ粒子形成装置APD シリーズやお手持ちの真空チャンバに増設することで、異なる「ターゲット」を同時に蒸着でき、新たな特性を持つ材料の生成が可能となります。

アークプラズマ蒸着源 <br>APS-1イメージ

特長

  • ナノ粒子のサイズが従来の湿式法より均一なため高活性な触媒の生成が可能
  • ナノ粒子の粒径を約1.5nm ~ 6nmまで選択可能
  • 雰囲気を可変することで酸化物や窒化物を容易に生成可能
  • ICF070(VG50)相当のフランジがあれば方向を選ばず取り付け可能
  • 水冷設備不要で、メンテナンスが容易

用途

  • 複数の蒸着源による化合物の生成
  • お手持ちの真空チャンバーに増設

仕様

Model APS-1
ターゲット寸法 φ 10mm × 長 17 mm
基板寸法 φ 2インチ (φ 50 mm)
成膜速度 0.01 nm/s ~ 0.3 nm/s *1
膜厚分布 Feの場合: < ± 10 % ( φ 20 mmエリア) ※1
成膜可能材料 導電材料全般 ※2

※1:ターゲット~基板距離 80mm時
※2:ターゲットの比抵抗0.01Ωcm以下

動作イメージ

ユーティリティ

装置構成図

電源:単相 AC200V ±10% 2kVA

寸法
❶ コンデンサBOX:W 110 × D 320 × H 200(㎜)
❷ 真空部:φ 34 × L 200(㎜)
❸ 電源:W 200 × D 360 × H 200(㎜)
❹ コントローラ:W 240 × D 400 × H 200(㎜)
※電源とコントローラはラックに収納

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