研究開発用スパッタリング装置
Model：QAM
最小コストで最大のパフォーマンスを実現する研究開発向けスパッタリング装置です。
処理室1のみ、搬送系追加、さらに処理室追加と拡張性を持たせており高温仕様等のオプションもご用意しております。
特長
- 低圧力でのスパッタ成膜が可能（0.1Pa～0.5Pa Arで放電可能）
- 各チャンバー最大4台カソード搭載可能
（酸化用（O2ガス）/ 窒化用（N2ガス）を搭載可能、カソードが斜入射配置のため同時スパッタに有利） - 標準仕様で自動プロセスが可能
- カソードが磁性/非磁性共用のため、運用コストが軽減
- オプションによる拡張性に優れる
仕様
| Model | QAM-4 | |
|---|---|---|
| 成膜室 | 処理方法 | バッチ式 / ロードロック式 |
| 成膜方向 | デポアップ（基板下向き、ターゲット面斜め上向き） | |
| カソード | マグネトロンスパッタリング 2インチ斜入射カソード（磁性/非磁性共用 |
|
| 搭載カソード数 | 最大4台/1室 | |
| 電源 | 最大出力 RF:200W DC:150W 最大搭載数 DC4台/1室 RF2台/1室 （組み合わせにより搭載数に制約有り） |
|
| 到達圧力 | 1×10-4Pa 以下 （1.0×10-5Pa以下はTiゲッターポンプ追加*） | |
| 対応基板サイズ | 最大 φ4インチ （基板ホルダにより2インチ、3インチ、角基板にも対応可*） |
|
| 膜厚分布 | ±5%（φ80mmエリア内 T/S=150mm Al成膜時） | |
| T/S距離 | 固定150mm（斜入射） | |
| 基板加熱機構 | 500℃ランプ加熱（700℃ ランプ加熱*）ダミー基板中心温度 | |
| 基板回転 | 0～20rpm | |
| 排気系 | ターボ分子ポンプ＋ドライポンプ | |
| ガス種 | Ar / O2 /N2（最大3系統まで） | |
| 搬送室* | 到達圧力 | 1.0×10-4Pa以下 | 搬送方式 | モータ駆動式（伸縮・旋回） |
| 排気系 | ターボ分子ポンプ＋ドライポンプ | |
| 操作制御系 | 3φAC200V 50/60Hz | |
| オプション* | ヘリコンスパッタカソード、リニアシャッター、メインバルブ、搬送室、カセット室、500℃ ランプ加熱、Tiゲッターポンプ、ラジカルガン、ダイヤフラムゲージ、質量分析計、チラー（諸元の＊印はオプション選択により対応可） | |
QAMラインナップ
- 実験・研究目的・ご予算に合わせてカスタマイズが可能
- ベース機に各モジュールを増設することで、最終的には2モジュール (L/L室付き) の装置にすることが可能