四重極型二次イオン質量分析装置(D-SIMS)
PHI ADEPT-1010

二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)は試料にイオンを照射し、試料から放出される二次イオンを質量分析することによって、深さ方向の元素分布を高感度におこなう手法です。ADEPT-1010は、四重極型質量分析器を持ち、半導体などの浅く打ち込まれたドーパントの分析や薄膜多層膜の分析に適した装置です。高輝度低エネルギーフローティングイオン銃を用いて高感度、高速分析に極表面の深さ方向分析が可能です。

四重極型二次イオン質量分析装置(D-SIMS) <br>PHI ADEPT-1010イメージ

自動分析

ADEPT-1010は、名前の由来であるAutomated Depth Profiling Toolを忠実に再現した、高精度な、深さ方向分析専用ツールです。
極浅イオン注入や薄膜評価を可能にする高輝度低加速イオン銃、大気成分の検出下限向上を目的とした超高真空排気系、簡潔・簡単に多点分析を可能にするシンプルなソフトウエアを備え、製造から技術開発まであらゆる評価にご使用いただけます。

一次イオンは酸素、加速電圧は500 eV、高輝度低加速イオン銃により高精度で極浅イオン注入プロファイル評価が可能です。

大容量ターボ分子ポンプを採用した超高真空系は大気成分の日常的な分析においても優れた検出下限が得られるよう設計されています。

ソフトウェア

シンプルな自動分析設定用ユーザーインターフェースを採用しているため、設定は短時間で簡潔におこなえ、多点分析を容易に実現します。

四重極型二次イオン質量分析装置(D-SIMS) PHI ADEPT-1010 に関するお問い合わせ

Copyrights© ULVAC EQUIPMENT SALES, Inc. All Rights Reserved.