枚葉式スパッタリング装置
Model:uGmni-200S

スパッタ、エッチャー、アッシャー&CVD複数プロセス室組合せ可の "Model:uGmni" は、全プロセス室ULVAC製です。スペア部品の低減や同一操作画面による使い勝手向上など、電子部品の製造工程において更なる効率化を実現します。枚葉式スパッタリング装置 "Model:uGmni-200S" は、多くの分野で豊富な納入実績がある最新機種です。

枚葉式スパッタリング装置 <br>Model:uGmni-200Sイメージ

特長

  • 様々な膜種の成膜に使用可能なマルチチャンバー型スパッタリング装置
  • φ200㎜基板まで対応可(φ300㎜基板は、”Model:uGmni-300S” で対応可)

用途

  • パワーデバイス
  • MEMSセンサー
  • 通信デバイス
  • パワーデバイス

    電極用途で100台以上の納入実績

  • MEMSセンサー

    PZT膜性能世界No1達成

  • 通信

    通信最大手納入実績有

仕様

以下限りではなく、ご相談可能です。仕様によっては下記数値が異なります。

到達圧力 ステージ温度 面内分布(参考値) 成膜、加工または応用例 プラズマ源
6.7E-5Pa以下 冷却(冷却性能別途協議)~700度 ±1~5% 金属、誘電膜、絶縁膜 DC
Pulse DC
RF
型式 Model:uGmni-200S Model:uGmni-300S
構成 2
対応基板 φ200㎜ φ300㎜
コア 4角 6角 7角 6角 8角
プロセス室 最大搭載数 2 4 5 4 6
オートローダー
カセット室

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