スパッタリング装置
Model：SEGul-200

アルバックが独自に開発したRaSE法（Radical assist Sputter Epitaxy）を用いたこの装置は、パワーデバイス、オプトデバイス、RFデバイス用途に使用されるGaNのエピタキシャル成長を実現します。この技術により、素子設計の自由度、コスト、環境負荷といったGaNデバイス製造における課題を解決します。