研究開発用小型スパッタリング装置
Model：RFS-201
RF電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。
金属、半導体、絶縁物の成膜が可能なため、基礎研究開発等の実験用に最適です。
特長
- 絶縁物・金属・半導体材料のスパッタ装置です。
- メインポンプに油拡散ポンプを使用しています。
- Φ80mm×1基のカソードで、単層成膜が可能です。
- コンベンショナルスパッタで、スパッタ速度20nm/min（SiO2）が得られます。
仕様
| 型式 | Model：RFS-201 | |
|---|---|---|
| 真空性能 | 到達圧力 | 6.6×10-４Pa |
| 排気時間 | 6.6×10-３Pa/5min | |
| 真空槽 | 真空槽 | 金属チャンバー（200mm(W)×250mm(D)×150mm(H)) |
| カソード | Φ80mm、1元 | |
| 基板推奨サイズ | Φ80mm×t1-5mm | |
| 有効成膜範囲 | 50mm | |
| 成膜速度 | SiO2 成膜にて、20nm/min以上 | |
| 膜厚分布 | SiO<2 成膜にて、50mm領域±8％以内 | |
| 基板加熱温度 | Max 350℃ | |
| 基板／電極間距離 | 30～50mm(可変） | |
| 排気系 | メインポンプ | 油拡散ポンプ（水冷） 150L/sec |
| 液体窒素トラップ | オプション | |
| 補助ポンプ | 油回転真空ポンプ 100L/min | |
| オイルミストトラップ | オイルミストトラップ OMT-100A | |
| 操作系 | メインバルブ | クラッパーバルブ |
| 補助バルブ | 三方向バルブ | |
| 自動リークバルブ | オプション | |
| 操作 | 手動 | |
| 制御系 | RF電源 | Max 300W (0～300Ｗ可変） |
| ピラニ真空計 | G-TRAN | |
| 電離真空計 | オプション | |
| 設置 | 最大寸法 | 764mm（W）×723mm（D）×1648mm（H） |
| 質量 | 260kg | |
ユーティリティ
| 型式 | Model：RFS-201 |
|---|---|
| 所要電気量 | 200V 単相 50/60Hz 2.8kVA |
| アース端子 | Ａ種 （接地抵抗値 10Ω以下） |
| 所要水量 | 5.0 L/min (水温:25℃以下、水圧:200〜300kPA（ゲージ圧）） |
| 取り合い （電源） | ビニルキャプタイヤケーブル（R2-5 圧着端子付） 4m |
| 取り合い （アース） | アースケーブル（銅板） 4m |
| 取り合い （水） | テトロンブレードホース（内径9mm×外径15mm）、4m（2本） |
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