高エネルギー対応のイオン注入装置
Model：SOPHI-400

Max1200keVまで対応可能な高エネルギーのイオン注入装置です。

高エネルギー対応のイオン注入装置 <br>Model：SOPHI-400イメージ

特長

  • 枚葉式
  • 薄ウェハ対応
  • パラレルビーム

用途

  • パワーデバイス等の薄型基板プロセス、IGBTプロセス

仕様

  • 基板サイズ：Max200mm
  • 最大電圧：Max1200 keV

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