中電流型イオン注入装置
Model：SOPHI-200 / SOPHI-260
中電流型イオン注入装置 "Model：SSOPHI-200 / SOPHI-260" は、最新技術を搭載した8、6、5インチの究極のパラレルビームイオン注入装置です。サンプリングをお受けしています。
特長
- 低価格、低ランニングコスト
- 小型軽量
- 極薄型ウェハ直接搬送可能
用途
- 半導体、電子部品
- パワーデバイス等の薄型基板プロセス、SiCプロセス
- R&D
仕様
| 項目 | Model：SOPHI-200 | Model：SOPHI-260 |
|---|---|---|
| エネルギー範囲 | 3〜200keV | 3〜260keV |
| ビーム平行度 | 0.2°以下 | |
| 均一性 | 0.5%以下 | |