枚葉式ドライエッチング装置
Model：uGmni-200E
スパッタ、エッチャー、アッシャー＆CVD複数プロセス室組合せ可の "Model：uGmni" は、全プロセス室ULVAC製です。スペア部品の低減や同一操作画面による使い勝手向上など、電子部品の製造工程において更なる効率化を実現します。ドライエッチング装置 "Model：uGmni-200E" は、標準スター電極（特許取得）搭載の最新機種です。
特長
- RF投入窓のデポ物付着防止用「スター電極」を搭載
- 加熱機能を有して再現性・安定性向上はもとよりオプションで均一性調整可能なISM-duoや、大流量対応のプロセス室、チャンバーの高温加熱も選択可能
- 追加エッチングチャンバー、アッシングチャンバーが搭載可能
- アッシングチャンバーでは、メタルエッチング後のコロージョン防止のため、加熱ステージでのマイクロ波水プラズマ処理が選択可能
- 装置構造がシンプルでメンテナンスが容易
- ダミー専用カセットやアライナ機構の追加が可能で、量産ツールとして多様なプロセスに対応可能
- 再生洗浄、パーツ提供、メンテナンス、トレイニングサービスなど、総合的なバックアップ体制を提供
- 複数台のデモ機を用意しており、安定性や新規プロセス評価が可能
用途
- MEMSセンサー：PZT成膜＆加工エッチング
- 光学デバイス：VCSEL加工エッチング
仕様
以下限りではなく、ご相談可能です。仕様によっては下記数値が異なります。
| 到達圧力 | ステージ温度 | 面内分布（参考値） | 成膜、加工または応用例 | プラズマ源 |
|---|---|---|---|---|
| 1.0E-3Pa以下 | -20～200度 | ±5%以下 | 金属、誘電膜、絶縁膜、Si系 | CCP |
| ISM(Inductively Super Magnetron、当社特許) | ||||
| NLD(Neutral Loop Discharge、当社特許） |