プラズマCVD装置
Model：uGmni-200C
スパッタ、エッチャー、アッシャー＆CVD複数プロセス室組合せ可の "Model：uGmni" は、全プロセス室ULVAC製です。スペア部品の低減や同一操作画面による使い勝手向上など、電子部品の製造工程において更なる効率化を実現します。PE-CVD装置 "Model：uGmni-200E" は、研究開発から量産装置まで幅広いアプリケーションをサポートしている最新機種です。
特長
- アルミトレイ搭載可能ウェハまたは、φ６～8インチウェハ
- 全プロセス室アルバック製
- 高濃度プラズマプロセス・高周波（27.12㎒）
用途
- 通信デバイス：絶縁膜成膜＆加工PE-CVD
仕様
以下限りではなく、ご相談可能です。仕様によっては下記数値が異なります。
| 到達圧力 | ステージ温度 | 面内分布（参考値） | 成膜、加工または応用例 | プラズマ源 |
|---|---|---|---|---|
| 2Pa以下 | 60～400度 | ±1%以下 | 絶縁膜（SiNx,SiOx） | Anode coupling |
| Dual Frequency |