枚葉式プラズマCVD装置
Model：CME-200E / CME-400

枚葉式プラズマCVD装置 "Model：CME-200E / CME-400" は、シリコン系の絶縁膜・バリア膜等の成膜に最適な、量産用枚葉式プラズマCVD装置です。

枚葉式プラズマCVD装置 <br>Model：CME-200E / CME-400イメージ

特長

  • 27.12MHzの高密度プラズマプロセス
  • SiH4系：SiO2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS系：SiO2膜の対応可能
  • NF3+Arプラズマによるチャンバークリーニング可能
  • 有機EL向けに低温成膜用ヒーター搭載可能
  • トレー搬送で、最大□200mmまで（Model：CME-200E）の基板サイズに対応（Model：CME-400：300×400に対応）

用途

  • パワーデバイス
  • LED、LD、高速デバイス
  • 有機EL
  • 太陽電池
  • MEMS

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