枚葉式アッシング装置
Model：uGmni-200A
スパッタ、エッチャー、アッシャー＆CVD複数プロセス室組合せ可の "Model：uGmni" は、全プロセス室ULVAC製です。スペア部品の低減や同一操作画面による使い勝手向上など、電子部品の製造工程において更なる効率化を実現します。アッシンク装置 "Model：uGmni-200A" は、デバイスの製造工程に不可欠なレジスト除去のための、環境に優しく、生産性の高い技術を提供しています。
用途
- 高密度実装 Descumアッシング
仕様
以下限りではなく、ご相談可能です。仕様によっては下記数値が異なります。
| 到達圧力 | ステージ温度 | 面内分布（参考値） | 成膜、加工または応用例 | プラズマ源 |
|---|---|---|---|---|
| 0.7Pa以下 | 50～250度 | ±5% | Descum、Desmear, 犠牲層除去、表面改質、 PR除去、PI加工 |
Microwave |
| 20～80度 | Microwave+CCP |