アッシング装置
Model：NA

特長

• クリティカルな次世代ウェハプロセスに必要な 1 x 10¹⁶atoms/cm²以上のイオンインプラント剥離プロセス・ポリマー除去プロセスをダメージフリーで実現が可能
• F系Gas添加プロセスに最適なチャンバ−構成になっており、パーティクルフリーで対応可能
• ノーマルPRから イオンインプラント剥離・有機膜はく離（PI、DFRなど）剥離・酸化膜エッチングなど非常に幅広いプロセス構築が可能
• シンプルな装置構成を採用し「卓越したメンテンス性・信頼性」と「ローコスト」を同時に実現
• フレキシブルなチャンバー構成が可能（μ波、RIE、μ波＋RIE）になっており、豊富な搬送経路を選択可能
• ウェハサイズをレシピ設定のみで切替え可能になっておりウェハサイズ変更が非常に容易に可能