四重極型二次イオン質量分析装置
(D-SIMS)
PHI ADEPT 2

半導体などのドーパント分析や薄膜多層膜の深さ方向分析を行います。
自動分析に対応しており、深さ方向分析を高感度かつ高速で実現します。

四重極型二次イオン質量分析装置<br>(D-SIMS)<br>PHI ADEPT 2イメージ

特長

  • 高度化された自動測定
  • 高速・高感度な深さ方向分析
  • 究極の深さ方向分解能
  • 超高真空が実現する究極の検出下限

仕様

Model PHI ADEPT 2
ダイナミックレンジ 5桁以上
深さ方向分解能 1nm以下

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