高周波スパッタリング装置 VTR-150M/SRF (SCOTT-C3)
ターボ分子ポンプ＋油回転真空ポンプ／マグネトロンスパッタ
RF電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。金属、半導体、絶縁物の成膜が可能なため、基礎研究開発等の実験用に最適です。
特長
- 絶縁物・金属・半導体材料のスパッタ装置です。
- メインポンプにターボ分子ポンプを使用しています。
- 2インチ×3基のカソードで、3層までの多層成膜が可能です。
- マグネトロンスパッタで、スパッタ速度30nm/min（SiO2）が得られます。
- 基板加熱機構（350℃）を搭載しています。
- RoHS対応
仕様
| 型 式 | VTR-150M/SRF | |
|---|---|---|
| 真 空 性 能 |
到達圧力
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6.6×10-４Pa |
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排気時間
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6.6×10-３Pa/5min | |
| 真 空 槽 |
真空槽
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金属チャンバー（内径φ310.5mm×高さ160mm) |
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カソード
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2インチ、3元 | |
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基板推奨サイズ
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φ2インチ（φ50.8mm） ×t1mm | |
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有効成膜範囲
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25mm | |
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成膜速度
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SiO2 成膜にて、30nm/min以上 | |
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膜厚分布
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SiO2 成膜にて、25mm領域±10％以内 | |
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基板加熱温度
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Max 350℃ | |
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基板／電極間距離
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50mm ～ 90mm （可変：半固定） | |
| 排 気 系 |
メインポンプ
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ターボ分子ポンプ 230L/sec |
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液体窒素トラップ
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－ | |
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補助ポンプ
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油回転真空ポンプ 200L/min | |
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オイルミストトラップ
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オイルミストトラップ OMT-200A | |
| 操 作 系 |
メインバルブ
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Ｌ（アングル）型バルブ |
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補助バルブ
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三方向バルブ | |
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自動リークバルブ
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オプション | |
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操作
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手動 | |
| 制 御 系 |
ＲＦ電源
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Max 300W （40～300W可変） |
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ピラニ真空計
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GP-1G | |
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電離真空計
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GI-M2 | |
| 設 置 |
最大寸法
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1150mm（W）×751mm（D）×1067mm（H） |
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質量
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400kg | |
ユーティリティ
| 型 式 | VTR-150M/SRF |
|---|---|
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所要電気量
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100V 単相 50/60Hz 3.0kVA |
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アース端子
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Ａ種 （接地抵抗値 10Ω以下） |
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所要水量
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2.0 L／min (水温:25℃以下、水圧:200ｋＰａ （ゲージ圧）） |
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取り合い （電源）
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ビニルキャプタイヤケーブル（先バラ） 3m |
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取り合い （アース）
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アースケーブル（先バラ） 10m |
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取り合い （水）
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テトロンブレードホース（内径9mm×外径15mm）、4m（2本） |
真空槽内部構成
基本構成図
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トリガー電極
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| [2] |
電極仕切り板
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| [3] |
陰極
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| [4] |
ガス導入（ストップバルブ）
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予備ポート
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| [6] |
覗き窓
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| [7] |
シャッターハンドル
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| [8] |
シャッター
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| [9] |
ベントバルブ
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| [10] |
ゲージポート
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ホルダー図
※研究開発の目的に合わせて、カスタマイズいたします。
