中電流型イオン注入装置
SOPHI-200/260
中電流型イオン注入装置SOPHI-200/260は、最新技術を搭載した8、6、5インチのイオン注入装置です。サンプリングをお受けしています。
用途
- 半導体、電子部品
- パワーデバイス等の薄型基板プロセス、SiCプロセス
- R&D
特長
- 先端技術を搭載した、究極のパラレルビームイオン注入装置です。
低価格、低ランニングコスト
小型軽量
極薄型ウエハ直接搬送可能
仕様
| 項目 | SOPHI-200 | SOPHI-260 |
| エネルギー範囲 | 3〜200keV | 3〜260keV |
| ビーム平行度 | 0.2°以下 | |
| 均一性 | 0.5%以下 | |
