高周波スパッタリング装置 RFS-201
RF電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。金属、半導体、絶縁物の成膜が可能なため、基礎研究開発等の実験用に最適です。
特長
- 絶縁物・金属・半導体材料のスパッタ装置です。
- メインポンプに油拡散ポンプを使用しています。
- φ80mm×1基のカソードで、単層成膜が可能です。
- コンベンショナルスパッタで、スパッタ速度20nm/min(SiO2)が得られます。
仕様
| 項目 | 単位 | 値 |
|---|---|---|
| 到達圧力 | Pa | 6.6×10-4 |
| kPa | -101.3 #1 | |
| 排気時間 | 6.6×10-3Pa/5min | |
| 真空層 | 金属チャンバー(200mm(W)×250mm(D)×150mm(H)) | |
| カソード | φ80mm、1元 | |
| 基板推奨サイズ | φ80mm×t1-5mm | |
| 有効成膜範囲 | 50mm | |
| 成膜速度 | mm | SiO2 成膜にて、20nm/min以上 |
| 膜厚分布 | SiO2 成膜にて、50mm領域±8%以内 | |
| 基板加熱温度 | Max 350℃ | |
| 基板/電極間距離 | 30～50mm(可変) | |
| メインポンプ | 油拡散ポンプ(水冷) 150L/sec | |
| 液体窒素トラップ | オプション | |
| 補助ポンプ | 油回転真空ポンプ 100L/min | |
| オイルミストトラップ | OMT-100A | |
| メインバルブ | クラッパーバルブ | |
| 補助バルブ | 三方向バルブ | |
| 自動リークバルブ | オプション | |
| 操作 | 手動 | |
| RF電源 | Max 300W(0～300W可変) | |
| ピラニ真空計 | G-TRAN | |
| 電離真空計 | オプション | |
| 最大寸法 | mm | 764(W) × 723(L) × 1648(H) |
| 質量 | kg | 260 |
| RoHS対応 |
#1: 単位が[kPa]の到達圧力はゲージ圧表示です。
ユーティリティ
| 項目 | 値 |
|---|---|
| 所要電気量(本体) | 単相 (200V)(50/60Hz): 2.8kVA |
| アース端子 | A種 (接地抵抗値 10Ω以下) |
| 所要水量 | 5.0 L/min (水温:25℃以下、水圧:200〜300kPa (ゲージ圧)) |
| 取り合い(電源) | ビニルキャプタイヤケーブル(R2-5 圧着端子付) 4m |
| 取り合い(アース) | アースケーブル(銅板) 4m |
| 取り合い(水) | テトロンブレードホース(内径9mm×外径15mm)、4m(2本) |
特記事項
- 冷却水配管は、お客様にて準備願います。
- 高周波申請が必要です。
オプショナルパーツ
| 分類名 | シリーズ | 品名 |
|---|---|---|
| 成膜装置オプショナルパーツ | 自動リークバルブ | 補助ポンプ用自動リークバルブ |
| 成膜装置オプショナルパーツ | ガス導入ポート | |
| 成膜装置オプショナルパーツ | 電離真空計 | 電離真空計 GI-M2 |
| 成膜装置オプショナルパーツ | ゲージポートセット | |
| 成膜装置オプショナルパーツ | ハーメチックシールポートセット | |
| 成膜装置オプショナルパーツ | 液体窒素トラップ | |
| インライントラップ | OMIシリーズ | OMI-100 |
| 成膜装置オプショナルパーツ | 基板加熱装置 | 基板加熱装置 SH-650F |
| 成膜装置オプショナルパーツ | 封止ブランジセット | 封止フランジセット |
