マルチチャンバ型装置
ENTRONTM N300
成膜関連装置スパッタリング装置スパッタ・ロードロック式CVD装置
マルチチャンバ型装置ENTRONTM N300は、適切な投資効率を実現するジャストフィット装置です。PVD、CVDだけでなく、NVM用エッチングも搭載が可能です。ENTRONシリーズは、最上位機種EX2と合わせたラインナップ拡張により、お客様の多様なニーズに的確にお応えします。
用途
- 最先端半導体メモリ(DRAM、Flashメモリ)
- 最先端半導体ロジック
- 次世代不揮発性メモリ(成膜、エッチング)
- UBM、TSV、パワーデバイス
- CMOSイメージセンサ
特長
- ミニマムでフレキシブルなモジュール構成が可能
- PVDとCVD、ALD及びNVM用エッチング等最新技術も搭載可能
- Cu配線やバリアメタル、UBM、TSV、CMOSイメージセンサ、NVM用エッチング等多彩なアプリケーションに対応
- シングルコアクラスター思想で6室のプロセスモジュール搭載可能
- 環境への配慮
各種省エネルギー機能を標準搭載し、従来比40％の省エネを実現 - 次世代半導体Fabに適合した制御システム
薄膜制御性に優れ、EES対応も可能。最先端Fabの自動化に適合
仕様
| ENTRON N300 | ||
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装置構成 |
搬送室 |
大気ウエハ移載機＋8角形真空搬送室 |
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モジュール |
L/UL室2+最大5プロセス室+1デガスor冷却室 |
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基板寸法 |
Φ300㎜ or Φ200㎜ |
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搬送ロボット |
デュアルアーム高真空搬送ロボット＜ELEC-RZ＞ |
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制御系 |
FA-PC制御（Cluser Tool controller） |
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排気系 |
主排気 |
LL室：専用ドライポンプ |
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粗引き |
粗引き用ドライポンプ、TMPフォア用ドライポンプ |
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対応プロセス |
スパッタ |
スパッタダウン方式／回転磁石カソード：コンベンショナル、LTS、SIS、HiCIS、マルチカソード |
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プリクリーン |
ICPプリエッチング、水素アニール、CDT |
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CVD/ALD |
FEOL、BEOL、NVM用CVD、CDT |
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NVM用エッチング |
NVM用高温、常温エッチング、ポストトリートメント |
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搭載可能プロセスガス系統 |
PVD：最大4系統、CVD:最大14系統、Etcher：最大11系統 |
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スループット |
メカニカルスループット：80wph(2回搬送) |
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到達圧力 |
Load lock |
10Pa以下 |
| Transfer |
PVD：1.0×10E-4Pa以下／ETCHER：10Pa以下 |
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| Module |
PVD：3.0×10E-6Pa以下／ETCHER：6.7E-4Pa以下 |
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膜厚/エッチング分布*1 |
Φ300㎜基板内 ±5％以内 |
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プロセス温度 |
R.T～450℃ |
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電気 |
50Hz/60Hz、3Φ、200V |
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冷却水 |
0.3～0.5MPa、温度20～25℃、 |
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所要ガス |
プロセス用Gas各種：0.1～0.3MPa |
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圧空 |
0.5～0.7MPa |
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省エネルギー機能 |
標準搭載 |
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接地工事 |
A種 |
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オプション |
LTS/SIS/マルチカソード/CVD/ALD/NVM：エッチャーモジュール選択搭載可能 |
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*1 性能は膜種により異なります。
