マルチチャンバ型スパッタリング装置
ENTRONTM-EX2 W300
成膜関連装置スパッタリング装置スパッタ・ロードロック式CVD装置
マルチチャンバ型スパッタリング装置ENTRONTM-EX2 W300は、多様なプロセスを結び付ける最新のプラットフォームです。
高生産性、省エネルギーを実現し、次々世代以降も対応可能な拡張性を誇るハイエンドモデルのスパッタリング装置です。
当社独自の技術による微細配線用の最先端PVD、CVD、ALDモジュール等、多彩なラインナップでお客様のニーズにお応えします。
用途
- 最先端半導体メモリ（DRAM、フラッシュメモリ）
- 次世代不揮発性メモリ（STT‐MRAM, ReRAM, PCRAM, CBRAM, FeRAM等）
- 最先端半導体ロジック
- CMOSイメージセンサ
特長
- フレキシブルなモジュール構成が可能
- PVDとCVD、ALDのインテグレーションが可能
- NVM、Al、Cu配線、バリアメタル、thick AL、Co/Niサリサイド等、様々なアプリケーションに対応
- 多品種のデバイス生産に対応
- クラスターツール思想による標準10室のプロセスモジュールが搭載可能
- シングル仕様／タンデム仕様のプラットフォーム選択が可能
- 高い生産性
ウェハの搬送速度が従来比で60%UP。高い生産処理能力と低CO2を実現 - 環境への配慮
各種の省エネルギー機能を標準搭載し、従来比30%の省エネルギーを実現 - 次世代半導体Fabに適合した制御システム 薄膜制御性に優れ、EES対応も可能。最先端Fabの自動化に適合
仕様
| 仕様 | ENTRONTM-EX2 W300 (Tandem) | ENTRONTM-EX2 W300 (Single) | |
| 装置構成 | 搬送系 | 大気ウェハ移載機 ＋8角形真空搬送室×2 |
大気ウェハ移載機 ＋8角形真空搬送室×1 |
| モジュール | L/UL室×2+最大8プロセス室 +最大2Degas or Cool 室 |
L/UL室×2+最大4プロセス室 +最大2Degas or Cool 室 |
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| 基板寸法 | φ300mm対応 | ||
| 搬送ロボット | デュアルアーム高真空搬送ロボット ×2 ウエハ位置補正付 |
デュアルアーム高真空搬送ロボット ×1 ウエハ位置補正付 |
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| 制御系 | FA-PC制御（Cluster tool controller） | ||
| 用途 | メモリ、不揮発性メモリ、ロジック 多層プロセス大量生産用 |
メモリ、不揮発性メモリ、ロジック 研究開発、少数プロセス量産用 |
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| 排気系 | 主排気 | LL室：ターボ分子ポンプ 搬送：TMP or クライオポンプ プロセス室：TMP+コールドトラップ（H20用） |
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| 粗引き | 粗引き用ドライポンプ、TMPフォア用ドライポンプ | ||
| 対応プロセス | スパッタ | スパッタダウン方式/回転磁石カソード： コンベンショナル、LTS、SIS、HiCIS、マルチカソード |
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| プリクリーン | ICPエッチング、水素アニール、CDT | ||
| CVD | FEOL、BEOL、NVM用CVD、ALD等 | ||
| 搭載可能プロセスガス系統 | PVD：最大 4系統 CVD：最大14系統 |
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| スループット | メカニカルスループット：160wph (2回搬送) | ||
| 到達圧力 | 搬送室：3.0E-6Pa以下 プロセス室：3.0E-6Pa以下 |
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| 膜厚分布（*1） | φ300基板内・±5%以内 | ||
| プロセス温度 | R.T〜450ºC | ||
| 電気 | 50Hz/60Hz、3φ、200V | ||
| 冷却水 | 0.3〜0.5MPa、温度20〜25ºC チラー用：60L/min He Compressor用： 7L/min×ｎ台分 DRP用：8L/min×ｎ台分 |
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| 所要ガス | プロセス用Gas各種：0.1〜0.3MPa ベント用 N2：0.2〜0.7MPa ドライポンプ用 N2：0.2〜0.7MPa |
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| 圧空 | 0.5〜0.7MPa | ||
| 省エネルギー機能 | 標準搭載 | ||
| 接地工事 | A種 | ||
| オプション | LTS/SIS/マルチカソード/CVD/ALDモジュール選択搭載可能 RGA：Qulee In-Aligner EES：EDPMS(Equipment Engineering System） |
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*1 : 性能は膜種により異なります。
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