SOPHI-30

成膜関連装置イオン注入装置

低加速・高濃度対応のイオン注入装置です。

用途

• パワーデバイス等の薄型基板プロセス、IGBTプロセス

特長

• 枚葉式
• 薄Wafer対応
• 非質量分離機
  *非質量分離機の対比メリット
  1)低加速・高濃度対応のハイスループットイオン注入装置
  2)従来より約半額の低価格
  3)装置占有面積が従来より1/3のコンパクト設計