赤外線ランプ加熱装置 RTP-6
赤外線イメージ炉 実験用途加熱・アニール装置熱処理・加熱装置
最大6インチまでのランプアニール装置。
個別半導体プロセスのシリサイド形成や化合物半導体のプロセスアニールが可能です。
用途
- Siウェハの急速熱処理が可能
特長
- コールドウォール構造の為、重金属汚染がありません
仕様
| 型式 | RTP-6 |
|---|---|
| 温度範囲 | 室温～1000℃ |
| 試料寸法 | 4インチ～6インチウェハサイズ |
| 測定雰囲気 | ガス中、ガスフロー中、大気中 |
| アプリケーション | ターボ分子ポンプ／ロータリーポンプ排気セット 冷却水循環装置 パイロメータ制御 SiCカーボンサセプタ |
