加熱・アニール装置

赤外線ランプ加熱で2インチから300mmまでの高速熱処理の装置を用意しています。赤外線ランプ加熱は、高エネルギー密度、近赤外線、高熱応答性、温度制御性、コールドウォールによるクリーン加熱などの特長を最大限に活かした加熱方式です。

2inから300mmまでの高速熱処理。保持まで10秒。
高速加熱技術を結集し、研究開発から生産用までお客様のニーズにお応えし...

SiCなど高価な試料やその他高融点材料の小片試料をスポット加熱による高い反射効率で、超高温領域1800℃まで昇温可能な卓上型超高温ランプアニ...

最大6インチまでのランプアニール装置。
個別半導体プロセスのシリサイド形成や化合物半導体のプロセスアニールが可能です。

太陽電池から化合物半導体等のプロセス開発に。
QHCシリーズは赤外線ゴールドイメージ炉と温度コントローラを組合せ、さらに石...

太陽電池から化合物半導体等のプロセス開発に。
VHCシリーズはQHCシリーズの機能に加えて真空排気系とピラニ真空計が搭載さ...